IRF1405PBF, Trans MOSFET N-CH Si 55V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002239211
- Артикул
- IRF1405PBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- HEXFET
- Тип
- MOSFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 288 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 133А, 200Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Series | HEXFET |
| Тип | MOSFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 10 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220AB |
| Высота | 15.65 mm |
| Корпус | TO-220AB |
| Ширина | 4.4 mm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-300 Вт |
| Описание | MOSFET MOSFT 55V 133A 5.3mOhm 170nC |
| Упаковка | Tube |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Емкость, пФ | 5480 |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-2В |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Особенности | автоприложения. электропривод |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 330 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 170 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | Through Hole |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Qg - заряд затвора | 170 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 5 mΩ |
| Тип проводимости | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 169 A |
| Заряд затвора, нКл | 260 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 330 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 169 A |
| Крутизна характеристики, S | 69 |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5.3 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 169 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*46*40/1000 |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 55 |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 169 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 5.3 |