IRF1404PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 40В, 162А, 200Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017538858
- Артикул
- IRF1404PBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- HEXFET
- Тип
- MOSFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1.95
Цена по запросу
(от 109,52 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 40В, 162А, 200Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Series | HEXFET |
| Тип | MOSFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.95 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220AB |
| Mounting Type | Through Hole |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-333 Вт |
| Описание | 40V, 202A N-Channel MOSFET |
| Упаковка | TUBE, 50 шт. |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Емкость, пФ | 5669 |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-4В |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 333 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 131 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 250uA |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | Through Hole |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 4 mΩ |
| Тип проводимости | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 202 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 4mО© @ 121A,10V |
| Заряд затвора, нКл | 196 |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 333W(Tc) |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 202A(Tc) |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 202 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 57*26*32/3000 |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 4 |