IRF1404LPBF, Power MOSFET, N Channel, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-262, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8207659590
- Артикул
- IRF1404LPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- TO262
- Mounting
- THT
- Technology
- HEXFET®
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 463 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
Технические параметры
| Case | TO262 |
| Mounting | THT |
| Technology | HEXFET® |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 10.2 mm |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Polarisation | unipolar |
| Высота | 9.45 mm |
| Ширина | 4.5 mm |
| Drain current | 162A |
| Kind of channel | enhanced |
| Упаковка | Tube |
| Power dissipation | 200W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Drain-source voltage | 40V |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-262-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 160 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 200 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 162 A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 162 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0035 Ом |