IRF1404LPBF, Транзистор: N-MOSFET; униполярный; 40 В; 162A; 200 Вт; TO262
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070147216
- Артикул
- IRF1404LPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- TO262
- Mounting
- THT
- Technology
- HEXFET®
- Вес, г
- 1.59
Цена по запросу
(от 264,74 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
Технические параметры
| Case | TO262 |
| Mounting | THT |
| Technology | HEXFET® |
| Вес, г | 1.59 |
| Длина | 10.2 mm |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Polarisation | unipolar |
| Высота | 9.45 mm |
| Ширина | 4.5 mm |
| Drain current | 162A |
| Kind of channel | enhanced |
| Упаковка | Tube |
| Power dissipation | 200W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Drain-source voltage | 40V |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-262-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 160 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 200 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 162 A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |