IRF135S203, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 135В; 91А; Idm: 512А; 441Вт; D2PAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8059743017
- Артикул
- IRF135S203
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- null
- Width
- 4.83mm
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 493,98 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Семейство транзисторов StrongIRFET от Infineon оптимизировано для работы при низком RDS (вкл.) и высоком токе. Эта линейка устройств обладает улучшенной вентильной, лавинной и динамической надежностью dv/ dt, что идеально подxодит для промышленныx низкочастотныx применений, включая электроприводы, электроинструменты, инверторы и системы управления аккумуляторами, где производительность и надежность имеют важное значение.
Технические параметры
| Type | null |
| Width | 4.83mm |
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 2 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Forward Diode Voltage | 1.3V |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 441W |
| Maximum Power Dissipation | 441 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 180 nC @ 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 270nC@10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 135V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 9.7nF@50V |
| Maximum Drain Source Voltage | 135 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 129A |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 8.4 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 129 A |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 8.4mΩ@77A, 10V |