HEXFET N-Channel MOSFET, 129 A, 135 V, 3-Pin TO-220 IRF135B203
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8034105579
- Артикул
- IRF135B203
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- TO220AB
- Mounting
- THT
- Technology
- HEXFET®
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 388,04 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 135В, 91А, 441Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Case | TO220AB |
| Mounting | THT |
| Technology | HEXFET® |
| Вес, г | 1 |
| Gate charge | 0.27µC |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | TO-220 |
| Drain current | 91A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 441W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 8.4mΩ |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Drain-source voltage | 135V |
| Pulsed drain current | 512A |
| Особенности | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 135 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 129 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 441 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |