Моя заявка (0)

IRF1310NSTRLPBF, Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

IRF1310NSTRLPBF, Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002240750
Артикул
IRF1310NSTRLPBF
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
HEXFET
Тип
MOSFET
Pin Count
3
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 310 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор полевой N-канальный 100В 42A

Технические параметры

SeriesHEXFET
ТипMOSFET
Pin Count3
Вес, г1
Длина6.5 mm
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeD2PAK(TO-263)
Высота2.3 mm
Ширина6.22 mm
Mounting TypeSurface Mount
Мощностьрассеиваемая(Pd)-160 Вт
ОписаниеN-Channel MOSFET 100 V 42A(Tc)3.8W(Ta), 160W(Tc)Surface Mount D2PAK
УпаковкаREEL, 800 шт.
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Емкость, пФ1900
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Способ монтажаThrough Hole
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTO-252-3
Maximum Drain Source Voltage100 V
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Qg - заряд затвора73.3 nC
Maximum Drain Source Resistance0.036 Ω
Тип проводимостиN
Maximum Continuous Drain Current42 A
Заряд затвора, нКл110
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности3.8 W
Другие названия товара №SP001561422
Id - непрерывный ток утечки42 A
Размер фабричной упаковки800
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Диапазон рабочих температур-55…+175 °С
Rds Вкл - сопротивление сток-исток36 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А42
Максимально допустимое напряжениезатвор-исток(Vgs)±20 В
Транспортная упаковка: размер/кол-во60*50*50/800
MSL(Уровень чувствительности к влажности)1
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А42
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт160
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм36

Техническая документация