IRF1310NPBF, Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002238698
- Артикул
- IRF1310NPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Width
- 4.69mm
- Series
- HEXFET
Цена по запросу
(от 208 ₽)
Минимальный заказ: 90 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 42А, 160Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Width | 4.69mm |
| Series | HEXFET |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 10 mm |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220AB |
| Высота | 15.65 mm |
| Корпус | TO-220AB |
| Ширина | 4.4 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Упаковка | Tube |
| Process Technology | HEXFET |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Typical Fall Time (ns) | 40 |
| Typical Rise Time (ns) | 56 |
| Особенности | аудиоприложения |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 160 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 160000 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Qg - заряд затвора | 73.3 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 110(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 110(Max)10V |
| Maximum Drain Source Resistance | 36 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 11 |
| Maximum Continuous Drain Current | 42 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 45 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 42 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1900 25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 36 10V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 160 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 42 A |
| Крутизна характеристики, S | 14 |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 36 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 42 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 20 V, +20 V |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 36 mOhms |