Транзистор, -55…+175°С, IRF1018EPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8057777672
- Артикул
- IRF1018EPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- Power MOSFET
- Brand
- Infineon
- Series
- HEXFET
- Тип
- MOSFET
Цена по запросу
(от 150 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 79А, 110Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Brand | Infineon |
| Series | HEXFET |
| Тип | MOSFET |
| Mounting | Through Hole |
| Polarity | N |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3+Tab |
| Вес, г | 2 |
| Длина | 10 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Package Type | TO-220AB |
| Rad Hardened | No |
| Высота | 15.65 mm |
| Корпус | TO-220 |
| Ширина | 4.4 mm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-110 Вт |
| Описание | MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 110(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Transistor Material | Si |
| Drain-Source On-Volt | 60(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 175C |
| Емкость, пФ | 2290 |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-2В |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Особенности | мощный высокоскоростной ключ |
| Тип продукта | MOSFET |
| Continuous Drain Current | 79(A) |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single Dual Drain |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±20(V) |
| Maximum Power Dissipation | 110 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | Through Hole |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Qg - заряд затвора | 46 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 8 mΩ |
| Тип проводимости | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 79 A |
| Заряд затвора, нКл | 69 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 110 W |
| Другие названия товара № | SP001574502 |
| Id - непрерывный ток утечки | 79 A |
| Крутизна характеристики, S | 110 |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 79 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*46*50/1500 |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 8.4 |