Моя заявка (0)
IRF1010Z PBF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8022651010
Бренд
Нет торговой марки
Family
FETs-Single
Series
HEXFET®
Category
Discrete Semiconductor Products
FET Type
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Цена по запросу
(от 170 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор полевой IRF1010ZPBF от известного производителя INFINEON обеспечивает высокую производительность для широкого спектра электронных применений. С монтажом THT, этот N-MOSFET транзистор способен управлять током стока до 94 А при напряжении сток-исток 55 В, что делает его идеальным для мощных задач. Мощность устройства достигает 140 Вт, а сопротивление в открытом состоянии всего 0,0075 Ом, гарантируя высокую эффективность и минимизацию потерь в цепи. Корпус TO220AB обеспечивает надежную защиту и удобство при монтаже. Приобретая IRF1010ZPBF, вы получаете надежный компонент для вашей электроники. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 94 Напряжение сток-исток, В 55 Мощность, Вт 140 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.0075 Корпус TO220AB

Технические параметры

FamilyFETs-Single
SeriesHEXFET®
CategoryDiscrete Semiconductor Products
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
PackagingTube
Вес, г3.5
FET FeatureStandard
Other Names*IRF1010ZPBF
Power - Max140W
Mounting TypeThrough Hole
Online CatalogN-Channel Standard FETs
Package / CaseTO-220-3
Design ResourcesIRF1010ZL Saber ModelIRF1010ZL Spice Model
Standard Package50
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
PCN Assembly/OriginBackend Wafer Transfer 23/Oct/2013
Gate Charge (Qg) @ Vgs95nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5 mOhm @ 75A, 10V
Особенности-
Supplier Device PackageTO-220AB
Product Training ModulesHigh Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers)
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2840pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C75A(Tc)
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация