HEXFET N-Channel MOSFET, 84 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB IRF1010EZPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016227875
- Артикул
- IRF1010EZPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 4.83mm
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IRF1010EZPBF от известного производителя INFINEON является высокопроизводительным компонентом для монтажа THT. Оснащенный корпусом TO220AB, этот N-MOSFET транзистор обеспечивает ток стока до 84 А и способен выдерживать напряжение сток-исток до 60 В, что делает его идеальным для мощных применений. С мощностью до 140 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,0085 Ом, он обеспечивает высокую эффективность и надежность в работе. Продукт с кодом IRF1010EZPBF представляет собой оптимальный выбор для разработчиков силовой электроники, ищущих компоненты с улучшенными характеристиками и длительным сроком службы. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 84 Напряжение сток-исток, В 60 Мощность, Вт 140 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.0085 Корпус TO220AB
Технические параметры
| Width | 4.83mm |
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 10 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220AB |
| Высота | 15.65 mm |
| Корпус | TO-220AB |
| Ширина | 4.4 mm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 140 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Qg - заряд затвора | 58 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 8.5 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 84 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 140 W |
| Другие названия товара № | SP001571244 |
| Id - непрерывный ток утечки | 84 A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 8.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 84 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 140 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |