HEXFET Type N-Channel MOSFET, 84 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF1010ESTRLPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017335639
- Артикул
- IRF1010ESTRLPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- D2PAK
- Series
- HEXFET
- Mounting
- SMD
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 460 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы HEXFET®, также известные как MOSFET-транзисторы, разработанные компанией Infineon, расшифровываются как "Металло-оксидные полупроводниковые полевые транзисторы’.
Технические параметры
| Case | D2PAK |
| Series | HEXFET |
| Mounting | SMD |
| Pin Count | 3 |
| Technology | HEXFET® |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | TO-263 |
| Drain current | 59A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Kind of channel | enhanced |
| Power dissipation | 200W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 12mΩ |
| Transistor Material | Silicon |
| Drain-source voltage | 60V |
| Pulsed drain current | 330A |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.012 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 84 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 84 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |