IRF1010EPBF-JSM, Транзистор N-MOSFET 60В 85А 200Вт 0.0075Ом [TO-220.]
![IRF1010EPBF-JSM, Транзистор N-MOSFET 60В 85А 200Вт 0.0075Ом [TO-220.]](https://static.epl-electro.ru/lib/395/DOC009395417.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9001494818
- Артикул
- IRF1010EPBF-JSM
- Бренд
- JSMicro Semiconductor Co., Ltd
- Вес, г
- 2.5
- Корпус
- TO-220
- Структура
- MOSFET
- Особенности
- автомобильные приложения
Цена по запросу
(от 52,80 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 2.5 |
| Корпус | TO-220 |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 85 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0075Ом |