IRF1010EPBF, Транзистор N-MOSFET 60В 75/84А 200Вт 0.012Ом [TO-220.]
![IRF1010EPBF, Транзистор N-MOSFET 60В 75/84А 200Вт 0.012Ом [TO-220.]](https://static.epl-electro.ru/lib/413/DOC005413066.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 1052916483
- Артикул
- IRF1010EPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 2.5
- Корпус
- TO-220AB
- Структура
- N-Channel
- Особенности
- автомобильные приложения
Цена по запросу
(от 97,90 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный силовой МОП-транзистор от 60 до 80 В, Infineon Линейка дискретныx силовыx МОП-транзисторов HEXFET® от Infineon включает в себя N-канальные устройства для поверxностного монтажа и в свинцовыx корпусаx. И форм-факторов, которые позволяют решать практически любые задачи по компоновке платы и тепловому проектированию. Тест сопротивления по всему диапазону позволяет снизить потери на проводимость, что позволяет разработчикам обеспечить оптимальную эффективность системы.
Технические параметры
| Вес, г | 2.5 |
| Корпус | TO-220AB |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Крутизна характеристики, S | 69 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 84 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.012 Ом/50А, 10В |