IRF100P218AKMA1, MOSFETs IFX FET 80 - 100V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031411910
- Артикул
- IRF100P218AKMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- HEXFET
- Вес, г
- 732
- Channel Type
- N Channel
- Package Type
- PG-TO247
Цена по запросу
(от 1 057,59 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Infineon StrongIRFET отличается улучшенной затворной, лавинной и динамической прочностью dv/ dt, а также полностью оxарактеризованными емкостными и лавинными значениями SOA.
Технические параметры
| Series | HEXFET |
| Вес, г | 732 |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | PG-TO247 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 556Вт |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | - |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Drain Source On State Resistance | 0.0011Ом |
| Линейка Продукции | StrongIRFET |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 209А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.8В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 218 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |