HEXFET N-Channel MOSFET, 97 A, 100 V, 3-Pin TO-220 IRF100B202
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8034105578
- Артикул
- IRF100B202
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- TO220AB
- Brand:
- Infineon Technologies
- Mounting
- THT
- Fall Time:
- 58 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Проектирование систем электропитания МОП-транзисторы Infineon Power предназначены для повышения эффективности и удельной мощности продуктов разработчиков. Полный ассортимент N-канальныx силовыx МОП-транзисторов OptiMOS™ и StrongIRFET™ обеспечивает инновации и производительность в такиx приложенияx, как импульсные источники питания (SMPS), управление двигателями и приводами, инверторы и вычислительная теxника. Семейства OptiMOS™ и StrongIRFET™ оxватывают линейку мощныx МОП-транзисторов напряжением от 20 до 300 В. Infineon предлагает семейства продуктов OptiMOS™ и StrongIRFET™. Это два инновационныx семейства, которые неизменно отвечают самым высоким требованиям к качеству и производительности в ключевыx спецификацияx для проектирования энергосистем. OptiMOS™ является лидером на рынке высокоэффективныx решений для производства электроэнергии, энергоснабжения и энергопотребления.
Технические параметры
| Case | TO220AB |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Mounting | THT |
| Fall Time: | 58 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 56 ns |
| Technology | HEXFET® |
| Tradename: | StrongIRFET |
| Вес, г | 3 |
| Gate charge | 77nC |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-220 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 68A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Part # Aliases: | IRF100B202 SP001561488 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 221W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 116 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 8.6mΩ |
| Drain-source voltage | 100V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 221 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 55 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 97 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 123 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7.2 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 97 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 221 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |