IRF100B201, Транзистор: N-MOSFET; полевой
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017546550
- Артикул
- IRF100B201
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 2.27
Цена по запросу
(от 121,31 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор МОП-транзистор, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 2.27 |
| Длина | 10 mm |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Высота | 15.65 mm |
| Ширина | 4.4 mm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Упаковка | Tube |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 100 ns |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 115A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 441W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 250uA |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 255 nC @ 10 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Qg - заряд затвора | 170 nC |
| Время нарастания | 97 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 192 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 4.2mО© @ 115A,10V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 441W |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9500 pF @ 50 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 192A |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 192A(Tc) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 441 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 192 A |
| Коммерческое обозначение | StrongIRFET |
| Крутизна характеристики, S | 278 |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.2 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 110 ns |
| Типичное время задержки при включении | 17 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 278 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 441 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |