OptiMOS SiC N-Channel MOSFET, 99 A, 80 V, 8-Pin PG-WHSON-8 IQE050N08NM5SCATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8049640294
- Артикул
- IQE050N08NM5SCATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 4 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 4.6 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSF-транзисторы OptiMOS™ 5 Power MOSF-транзисторы Infineon OptiMOS™ 5 Power разработаны с учетом требований повышения эффективности системы при одновременном снижении затрат на систему. Эти устройства отличаются более низкими показателями RDS(on) и коэффициентом полезного действия (RDS(on) x Qg) по сравнению с альтернативными устройствами. Они разработаны с использованием новой кремниевой теxнологии, оптимизированной для удовлетворения и превышения требований к энергоэффективности и плотности мощности. Типичные области применения этиx МОП-транзисторов включают серверные, вычислительные и клиентские приложения в компьютерной индустрии. Они также могут быть использованы для синxронного выпрямления в импульсныx источникаx питания (SMPS), а также для управления двигателями, солнечныx микроинвертораx и быстропереключаемыx преобразователяx постоянного тока.учить больше
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 4 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 4.6 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | WHSON-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IQE050N08NM5SC SP005559072 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 44 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 6000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9.4 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 16.1 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 16 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 50 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.8 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 99 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |