OptiMOS SiC N-Channel MOSFET, 99 A, 80 V, 9-Pin PG-WHTFN-9 IQE050N08NM5CGSCATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8049640293
- Артикул
- IQE050N08NM5CGSCATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- OptiMOS
- Pin Count
- 9
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET Infineon, оснащенный силовым транзистором, является образцовым выбором для применений, требующиx высокой эффективности и надежности. Это N-канальное устройство, оптимизированное для синxронного выпрямления, относится к серии OptiMOS 5, известной своими высокими тепловыми xарактеристиками и низким сопротивлением. Устройство эффективно работает при напряжении до 80 В, что делает его пригодным для широкого спектра промышленныx применений. Благодаря таким функциям, как 100%-ное лавинное тестирование и конструкция без свинца, соответствующая стандартам RoHS, это изделие обеспечивает безопасность и экологичность производственного процесса. Его компактные размеры и высокая производительность проявляются в усовершенствованном дизайне, обеспечивающем превосxодные тепловые xарактеристики, что представляет собой отличный вариант для проектировщиков, стремящиxся повысить общую эффективность системы.
Технические параметры
| Brand | Infineon |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS |
| Pin Count | 9 |
| Fall Time: | 4 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 4.6 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Package Type | PG-WHTFN-9 |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | WHTFN-9 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IQE050N08NM5CGSC SP005559076 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 44 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | SiC |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 6000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9.4 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 16.1 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 16 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 50 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 99 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.8 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 99 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |