Моя заявка (0)

IQE Type N-Channel MOSFET, 253 A, 30 V, 8-Pin PQFN IQE030N06NM5ATMA1

IQE Type N-Channel MOSFET, 253 A, 30 V, 8-Pin PQFN IQE030N06NM5ATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014585929
Артикул
IQE030N06NM5ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
FET Type
N-Channel
Pin Count
8
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 1 000 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Инвертор Infineon OptiMOSTM 5 60V PQFN 3.3x3.3 с выключенным источником питания имеет напряжение 60 В и низкий RDS (on) - 3,0 Мом. Это дает ряд преимуществ, такиx как повышенная теплоемкость, повышенная удельная мощность или улучшенные возможности компоновки.

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Pin Count8
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
Channel TypeN
Package TypePQFN 3x3
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case8-PowerTDFN
Power Dissipation107Вт
Vgs(th) (Max) @ Id3.3V @ 50µA
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3mOhm @ 20A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)2.5W(Ta), 107W(Tc)
Supplier Device PackagePG-TSON-8-4
Number of Elements per Chip1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs49 nC @ 10 V
Maximum Drain Source Voltage60 V
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Drain Source On State Resistance0.0022Ом
Maximum Continuous Drain Current137 A
Линейка ПродукцииOptiMOS 5 Series
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3800 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C21A(Ta), 137A(Tc)
Непрерывный Ток Стока137А
Рассеиваемая Мощность107Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.8В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Стиль Корпуса ТранзистораTSON
Максимальная Рабочая Температура175 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0022Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А253
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0022 Ом

Техническая документация