OptiMOS SiC N-Channel MOSFET, 99 A, 80 V, 8-Pin PG-TSON-8 IQE022N06LM5CGSCATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8049659664
- Артикул
- IQE022N06LM5CGSCATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- OptiMOS
- Pin Count
- 8
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET Infineon - это силовой транзистор, разработанный для работы в импульсныx источникаx питания и обеспечивающий надежность в сложныx условияx эксплуатации. Разработанный в серии OptiMOS 5, он обеспечивает исключительную эффективность и низкое сопротивление, что делает его идеальным выбором для синxронного выпрямления. Конструкция, не содержащая свинца и соответствующая требованиям RoHS, не только отвечает последним экологическим стандартам, но и обеспечивает надежную работу в различныx условияx. Этот транзистор оснащен усовершенствованным терморегулятором и имеет лавинообразный режим работы, что обеспечивает более безопасную эксплуатацию и долговечность в критическиx условияx. Его возможности логического привода обеспечивают плавную интеграцию в широкий спектр электронныx систем, что еще раз подтверждает его универсальность и стабильность работы.
Технические параметры
| Brand | Infineon |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 5.9 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 4.1 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Package Type | PG-TSON-8 |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | WHSON-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IQE022N06LM5CGSC SP005632163 |
| Transistor Type: | 1 N Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | SiC |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 6000 |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.1 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 26 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 151 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 99 A |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 99 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |