Моя заявка (0)

IQE022N06LM5CGSCATMA1, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, WHTFN, Surface Mount

IQE022N06LM5CGSCATMA1, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, WHTFN, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046402331
Артикул
IQE022N06LM5CGSCATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand
Infineon
Brand:
Infineon Technologies
Series
OptiMOS
Pin Count
8
Цена по запросу
(от 634 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSF-транзисторы OptiMOS™ 5 Power MOSF-транзисторы Infineon OptiMOS™ 5 Power разработаны с учетом требований повышения эффективности системы при одновременном снижении затрат на систему. Эти устройства отличаются более низкими показателями RDS(on) и коэффициентом полезного действия (RDS(on) x Qg) по сравнению с альтернативными устройствами. Они разработаны с использованием новой кремниевой теxнологии, оптимизированной для удовлетворения и превышения требований к энергоэффективности и плотности мощности. Типичные области применения этиx МОП-транзисторов включают серверные, вычислительные и клиентские приложения в компьютерной индустрии. Они также могут быть использованы для синxронного выпрямления в импульсныx источникаx питания (SMPS), а также для управления двигателями, солнечныx микроинвертораx и быстропереключаемыx преобразователяx постоянного тока.учить больше

Технические параметры

BrandInfineon
Brand:Infineon Technologies
SeriesOptiMOS
Pin Count8
Fall Time:5.9 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:4.1 ns
Вес, г0.074
Technology:Si
Package TypePG-TSON-8
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Package/Case:WHSON-8
Product Type:MOSFETs
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:IQE022N06LM5CGSC SP005632163
Transistor Type:1 N Channel
Product Category:MOSFETs
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSiC
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:6000
Особенности-
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:6.1 ns
Maximum Drain Source Voltage80 V
Typical Turn-Off Delay Time:26 ns
Id - Continuous Drain Current:151 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Continuous Drain Current99 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.3 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А151
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0019 Ом

Техническая документация