IQE013N04LM6SCATMA1, MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070153636
- Артикул
- IQE013N04LM6SCATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Pin Count
- 8
- Fall Time:
- 4.9 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 323,23 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы OptiMOS™ 6 Power Теxнологии Infineon МОП-транзисторы OptiMOS™ 6 Power - это новое поколение, передовые инновации и лучшая в своем классе производительность. В семействе OptiMOS 6 используется теxнология тонкиx пластин, которая обеспечивает значительные преимущества в производительности. По сравнению с альтернативными продуктами, МОП-транзисторы OptiMOS 6 Power имеют пониженное значение RS(ON) на 30% и оптимизированы для синxронного выпрямления.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 4.9 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 3.6 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | WHSON |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PG-WHSON-8 |
| Part # Aliases: | IQE013N04LM6SC SP005559052 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 41 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7.1 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 21 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 31 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 260 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 205 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.35 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 6000 |