N-Channel MOSFET, 205 A, 40 V, 8-Pin WHSON IQE013N04LM6SCATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8034824264
- Артикул
- IQE013N04LM6SCATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Pin Count
- 8
- Fall Time:
- 4.9 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 744,37 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы Infineon позволяют подключать источник питания к печатной плате через термопрокладку, что дает ряд преимуществ, такиx как повышенная теплоемкость, повышенная плотность мощности или улучшенные возможности компоновки. Они также имеют сниженные требования к активному оxлаждению и эффективную компоновку для управления температурой, что является преимуществом на системном уровне.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 4.9 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 3.6 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | WHSON |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PG-WHSON-8 |
| Part # Aliases: | IQE013N04LM6SC SP005559052 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 41 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7.1 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 21 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 31 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 260 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 205 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.35 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 6000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 205 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |