Моя заявка (0)
N-Channel MOSFET, 205 A, 40 V PG-TTFN IQE013N04LM6CGATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030973823
Артикул
IQE013N04LM6CGATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
RoHS
N
Вес, г
1
Channel Type
N
Package Type
PG-TTFN
Цена по запросу
(от 690,96 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощный МОП-транзистор Infineon OptiMOS 40 В в корпусе PQFN с центральным затвором и расположением источника питания 3,3x3,3. Этот лучший в своем классе мощный МОП-транзистор бросает вызов существующему положению дел в области плотности мощности и форм-фактора для конечного применения.

Технические параметры

RoHSN
Вес, г1
Channel TypeN
Package TypePG-TTFN
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада44 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокPG-TTFN-9-1
Maximum Drain Source Voltage40 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel Power MOSFET
Qg - заряд затвора20 nC
Время нарастания3.6 ns
Maximum Continuous Drain Current205 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности107 W
Другие названия товара №IQE013N04LM6CG SP005340908
Id - непрерывный ток утечки205 A
Размер фабричной упаковки5000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.35 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток40 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения21 ns
Типичное время задержки при включении7.1 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.2 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А205
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.65 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт107
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация