IQE013N04LM6ATMA1, 40V 1.35mOhm@20A,10V 2V@51uA N Channel 3900pF@20V 55nC@10V -55°C~+175°C@(Tj) TSON-8-4 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070103331
- Артикул
- IQE013N04LM6ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- RoHS
- N
- Вес, г
- 0.45
- Channel Type
- N
- Package Type
- PG-TSON
Цена по запросу
(от 271,19 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Infineon OptiMOS power - это лучший в своем классе мощный МОП-транзистор, который оптимизирует работу конечного пользователя, бросая вызов существующему положению дел с точки зрения плотности мощности и форм-фактора.
Технические параметры
| RoHS | N |
| Вес, г | 0.45 |
| Channel Type | N |
| Package Type | PG-TSON |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 4.9 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | PG-TSON-8-4 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Qg - заряд затвора | 41 nC |
| Время нарастания | 3.6 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 205 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 107 W |
| Другие названия товара № | IQE013N04LM6 SP005340902 |
| Id - непрерывный ток утечки | 205 A |
| Размер фабричной упаковки | 5000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.35 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 21 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7.1 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 65 S |