Моя заявка (0)

IQE013N04LM6ATMA1, 40V 1.35mOhm@20A,10V 2V@51uA N Channel 3900pF@20V 55nC@10V -55°C~+175°C@(Tj) TSON-8-4 MOSFETs

IQE013N04LM6ATMA1, 40V 1.35mOhm@20A,10V 2V@51uA N Channel 3900pF@20V 55nC@10V -55°C~+175°C@(Tj) TSON-8-4 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017669978
Артикул
IQE013N04LM6ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
RoHS
N
Вес, г
0.45
Channel Type
N
Package Type
PG-TSON
Цена по запросу
(от 311 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Infineon OptiMOS power - это лучший в своем классе мощный МОП-транзистор, который оптимизирует работу конечного пользователя, бросая вызов существующему положению дел с точки зрения плотности мощности и форм-фактора.

Технические параметры

RoHSN
Вес, г0.45
Channel TypeN
Package TypePG-TSON
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада4.9 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокPG-TSON-8-4
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel Power MOSFET
Qg - заряд затвора41 nC
Время нарастания3.6 ns
Maximum Continuous Drain Current205 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности107 W
Другие названия товара №IQE013N04LM6 SP005340902
Id - непрерывный ток утечки205 A
Размер фабричной упаковки5000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.35 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток40 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения21 ns
Типичное время задержки при включении7.1 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.2 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.65 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт107
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.35мОм

Техническая документация