Моя заявка (0)

N-Channel MOSFET, 298 A, 25 V, 8-Pin PQFN 3 x 3 IQE006NE2LM5CGATMA1

N-Channel MOSFET, 298 A, 25 V, 8-Pin PQFN 3 x 3 IQE006NE2LM5CGATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014772943
Артикул
IQE006NE2LM5CGATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Pin Count
8
Fall Time:
5.3 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 667,59 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой транзистор Infineon OptiMOS 5 представляет собой N-канальный МОП-транзистор, который не содержит свинца и соответствует требованиям RoHS.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Pin Count8
Fall Time:5.3 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:2.6 ns
Tradename:OptiMOS
Вес, г1
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypePQFN 3x3
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TTFN-9-1
Part # Aliases:IQE006NE2LM5CG SP003321480
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:28.5 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:89 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-16 V, +16 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:5.3 ns
Maximum Drain Source Voltage25 V
Typical Turn-Off Delay Time:27 ns
Id - Continuous Drain Current:298 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:220 S
Maximum Continuous Drain Current298 A
Rds On - Drain-Source Resistance:650 uOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:5000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А298
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация