Моя заявка (0)
IQE004NE1LM7CGATMA1, MOSFETs IFX FET 15V-30V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025699648
Артикул
IQE004NE1LM7CGATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
4 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
2 ns
Цена по запросу
(от 218,46 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:4 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:2 ns
Вес, г100
No. of Pins9Pins
Technology:Si
Channel TypeN Channel
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Package/Case:TTFN-9
Product RangeOptiMOS 7 Series
Product Type:MOSFETs
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:IQE004NE1LM7CG
Transistor Type:1-N Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:29 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor MountingSurface Mount
Transistor Polarity:N-Channel
Transistor Case StyleTTFN
Factory Pack Quantity:5000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:89 W
Drain Source Voltage Vds15V
Operating Temperature Max150°C
Vgs - Gate-Source Voltage:-7 V, +7 V
Continuous Drain Current Id379A
Typical Turn-On Delay Time:9 ns
Typical Turn-Off Delay Time:21 ns
Id - Continuous Drain Current:58 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:85 S
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Rds On - Drain-Source Resistance:570 uOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:15 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.6 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В15
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация