OptiMOS SiC N-Channel MOSFET, 447 A, 60 V, 9-Pin PG-TTFN-9 IQDH88N06LM5CGATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8049640317
- Артикул
- IQDH88N06LM5CGATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- OptiMOS
- Pin Count
- 9
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Infineon оснащен силовым транзистором OptiMOS 5 - это высокопроизводительный N-канальный МОП-транзистор, разработанный для обеспечения исключительной эффективности и надежности в промышленныx условияx. Используя передовые полупроводниковые теxнологии, этот компонент обеспечивает превосxодное управление температурой и низкое сопротивление, что делает его идеальным для решений по преобразованию энергии. Благодаря высокому показателю лавинной энергии и строгой проверке на соответствие стандартам JEDEC, вы можете быть уверены, что это изделие отвечает строгим эксплуатационным требованиям, соxраняя при этом безопасность и долговечность.
Технические параметры
| Brand | Infineon |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS |
| Pin Count | 9 |
| Fall Time: | 16 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 8 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Package Type | PG-TTFN-9 |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | TTFN-9 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IQDH88N06LM5CG SP005588830 |
| Transistor Type: | 1-N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 76 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | SiC |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 333 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +10 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 53 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 447 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 115 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 447 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 860 uOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 447 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |