Моя заявка (0)

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1, Power MOSFET, N Channel, 25 V, 789 A, 290 µohm, WHTFN, Surface Mount

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1, Power MOSFET, N Channel, 25 V, 789 A, 290 µohm, WHTFN, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046488611
Артикул
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
0.001
No. of Pins
9Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
OptiMOS 5 Series
Цена по запросу
(от 640 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.001
No. of Pins9Pins
Channel TypeN Channel
Product RangeOptiMOS 5 Series
СтруктураN-Channel
Transistor MountingSurface Mount
Transistor Case StyleWHTFN
Особенности-
Drain Source Voltage Vds25V
Operating Temperature Max150°C
Continuous Drain Current Id789A
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А789
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт278W
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)290µohm

Техническая документация