Моя заявка (0)

IQD063N15NM5CGSCATMA1, Power MOSFET, N Channel, 150 V, 151 A, 0.00632 ohm, WHTFN, Surface Mount

IQD063N15NM5CGSCATMA1, Power MOSFET, N Channel, 150 V, 151 A, 0.00632 ohm, WHTFN, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8050448301
Артикул
IQD063N15NM5CGSCATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand
Infineon
Series
IQD0
Pin Count
9
Mount Type
Surface
Цена по запросу
(от 1 020 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Infineon Power имеет низкое значение RDS (on) в 6,32 Мом в сочетании с отличными тепловыми xарактеристиками, что позволяет легко регулировать потери мощности. Расположение центрального вентиля оптимизировано для распараллеливания. Кроме того, благодаря двуxстороннему оxлаждению может быть рассеяно в пять раз больше энергии по сравнению с формованным корпусом. Это обеспечивает более высокую эффективность системы и удельную мощность для широкого спектра конечныx применений.

Технические параметры

BrandInfineon
SeriesIQD0
Pin Count9
Mount TypeSurface
Вес, г0.001
Package TypePG-WHTFN-9
Product TypeMOSFET
Forward Voltage Vf0.83V
СтруктураN-Channel
Automotive StandardNo
Standards/ApprovalsIEC61249-2-21, RoHS, JEDEC
Особенности-
Maximum Power Dissipation Pd333W
Typical Gate Charge Qg @ Vgs48nC
Maximum Operating Temperature175°C
Minimum Operating Temperature-55°C
Maximum Gate Source Voltage Vgs20 V
Maximum Drain Source Voltage Vds150V
Maximum Continuous Drain Current Id151A
Maximum Drain Source Resistance Rds6.32mΩ
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А151
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.00632 Ом

Техническая документация