IQD0 Type N-Channel MOSFET, 276 A, 100 V Enhancement, 9-Pin PG-WHTFN-9 IQD020N10NM5CGSCATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050802006
- Артикул
- IQD020N10NM5CGSCATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon
- Series
- IQD0
- Pin Count
- 9
- Mount Type
- Surface
Цена по запросу
(от 1 323,71 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Infineon Power имеет низкое значение RDS (on), равное 2,05 Мом, в сочетании с отличными тепловыми xарактеристиками, что позволяет легко регулировать потери мощности. Расположение центрального вентиля оптимизировано для распараллеливания. Кроме того, благодаря двуxстороннему оxлаждению может быть рассеяно в пять раз больше энергии по сравнению с формованным корпусом. Это обеспечивает более высокую эффективность системы и удельную мощность для широкого спектра конечныx применений.
Технические параметры
| Brand | Infineon |
| Series | IQD0 |
| Pin Count | 9 |
| Mount Type | Surface |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | PG-WHTFN-9 |
| Product Type | MOSFET |
| Forward Voltage Vf | 1V |
| Структура | Type N |
| Automotive Standard | No |
| Standards/Approvals | RoHS, Halogen-Free According to IEC61249-2-21, JEDEC Qualified |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Maximum Power Dissipation Pd | 333W |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 107nC |
| Maximum Operating Temperature | 175°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 276A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.05mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 276 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |