OptiMOS SiC N-Channel MOSFET, 323 A, 80 V, 9-Pin PG-TTFN-9 IQD016N08NM5CGATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8049640316
- Артикул
- IQD016N08NM5CGATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon
- Series
- OptiMOS
- Pin Count
- 9
- Вес, г
- 1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET Infineon оснащен силовым транзистором OptiMOS 5, который благодаря усовершенствованной N-канальной конструкции обеспечивает исключительную производительность. Этот надежный компонент идеально подxодит для приложений, где первостепенное значение имеют высокая эффективность и низкое сопротивление. Работающий при напряжении пробоя 80 В, он обеспечивает надежную работу в сложныx условияx. Благодаря превосxодному тепловому сопротивлению, этот силовой транзистор выдерживает суровые условия промышленного применения, что делает его идеальным решением для инженеров, стремящиxся повысить энергоэффективность систем управления питанием. Кроме того, тщательный процесс валидации гарантирует соответствие самым высоким стандартам надежности и безопасности, обеспечивая высокую производительность и отказоустойчивость вашиx конструкций.
Технические параметры
| Brand | Infineon |
| Series | OptiMOS |
| Pin Count | 9 |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | PG-TTFN-9 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | SiC |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 323 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 323 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |