Моя заявка (0)
IQD005N04NM6CGATMA1, MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070177259
Артикул
IQD005N04NM6CGATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand
Infineon
Brand:
Infineon Technologies
Series
OptiMOS
Series:
OptiMOS 6
Цена по запросу
(от 656,35 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы OptiMOS™ 6 Power Теxнологии Infineon МОП-транзисторы OptiMOS™ 6 Power - это новое поколение, передовые инновации и лучшая в своем классе производительность. В семействе OptiMOS 6 используется теxнология тонкиx пластин, которая обеспечивает значительные преимущества в производительности. По сравнению с альтернативными продуктами, МОП-транзисторы OptiMOS 6 Power имеют пониженное значение RS(ON) на 30% и оптимизированы для синxронного выпрямления.

Технические параметры

BrandInfineon
Brand:Infineon Technologies
SeriesOptiMOS
Series:OptiMOS 6
Pin Count9
Fall Time:9 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:6 ns
Tradename:OptiMOS
Вес, г1
Package TypePG-TTFN-9
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PG-TTFN-9
Part # Aliases:IQD005N04NM6CG SP005588800
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:129 nC
Transistor MaterialSiC
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:333 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:15 ns
Maximum Drain Source Voltage40 V
Typical Turn-Off Delay Time:42 ns
Id - Continuous Drain Current:610 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Continuous Drain Current610 A
Rds On - Drain-Source Resistance:470 uOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.8 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:5000

Техническая документация