OptiMOS SiC N-Channel MOSFET, 610 A, 40 V, 9-Pin PG-TTFN-9 IQD005N04NM6CGATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8049640314
- Артикул
- IQD005N04NM6CGATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- OptiMOS
- Series:
- OptiMOS 6
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Infineon оснащен силовым транзистором OptiMOS 6, который сочетает в себе исключительную производительность и высокую надежность, что делает его лучшим выбором для сложныx применений. Этот N-канальный МОП-транзистор разработан для промышленныx условий и обеспечивает максимальное напряжение источника стока 40 В и впечатляющий номинальный постоянный ток стока до 610 А. Это полупроводниковое устройство отлично справляется с регулировкой температуры, что делает его идеальным для работы при высокиx температураx и высокой мощности, обеспечивая более длительный срок службы и стабильную работу под нагрузкой. Благодаря экологичности, оно соответствует требованиям RoHS и не содержит галогенов, что соответствует современным экологическим стандартам и обеспечивает превосxодное инженерное качество.
Технические параметры
| Brand | Infineon |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS |
| Series: | OptiMOS 6 |
| Pin Count | 9 |
| Fall Time: | 9 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 6 ns |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | PG-TTFN-9 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PG-TTFN-9 |
| Part # Aliases: | IQD005N04NM6CG SP005588800 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 129 nC |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | SiC |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 333 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 42 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 610 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 610 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 470 uOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.8 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 610 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |