Моя заявка (0)
IPZA65R029CFD7XKSA1, MOSFETs HIGH POWER_NEW

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006206386
Артикул
IPZA65R029CFD7XKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 1 750 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 650 В 69А (Tc) 305 Вт (Tc) со сквозным отверстием PG-TO247-4-3

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 1.79mA
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs29mOhm @ 35.8A, 10V
Power Dissipation (Max)305W(Tc)
Supplier Device PackagePG-TO247-4-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7149 pF @ 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C69A(Tc)

Техническая документация