Моя заявка (0)

IPZA65R018CFD7XKSA1,Power MOSFET, N Channel, 650 V, 106 A, 0.015 ohm, TO-247, Through Hole

IPZA65R018CFD7XKSA1,Power MOSFET, N Channel, 650 V, 106 A, 0.015 ohm, TO-247, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8012526548
Артикул
IPZA65R018CFD7XKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Q(g)
234 nC
V(DS)
650 V
P(tot)
446 W
Series
CoolMOS
Цена по запросу
(от 4 630 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Infineon CoolMOS super junction со встроенным быстродействующим диодом - это идеальный выбор для резонансныx топологий высокой мощности.

Технические параметры

Q(g)234 nC
V(DS)650 V
P(tot)446 W
SeriesCoolMOS
PackageTO-247-4
R(thJC)0.28 K/W
MountingTHT
PackagingTUBE
Pin Count4
AutomotiveNO
TechnologyCoolMOS
Вес, г0.001
Logic levelNO
RoHS StatusRoHS-conform
Channel TypeN
Package TypeTO-247-4
ConfigurationN-CH
Mounting TypeThrough Hole
RDS(on)at 10V15 mOhm
Fast bodydiodeYES
I(D)at Tc=25°C106 A
СтруктураN-Channel
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage700 V
Maximum Gate Threshold Voltage4.5V
Maximum Drain Source Resistance0.018 Ω
Maximum Continuous Drain Current106 A
Пороговое напряжение на затворе3…5
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А106
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.015 Ом

Техническая документация