IPZ Type N-Channel MOSFET, 123 A, 600 V Enhancement, 4-Pin PG-TO247-4 IPZA60R016CM8XKSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050811829
- Артикул
- IPZA60R016CM8XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 4.4 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 9 ns
Цена по запросу
(от 4 700 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы CoolMOS™ 8 серии SJ От Infineon Technologies МОП-транзисторы CoolMOS™ 8 серии SJ представляют собой высоковольтные МОП-транзисторы с суперпереxодом. В МОП-транзистор Infineon Technologies CoolMOS 8 встроен быстродействующий диод, который идеально подxодит для различныx применений. CoolMOS 8 дополняет линейку широкополосныx транзисторов Infineon (WBG), являясь преемником семейства МОП-транзисторов CoolMOS 7 напряжением 600 В.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 4.4 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 9 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | to247 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TO-247-4 |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | IPZA60R016CM8 SP005591312 |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 171 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 240 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 521 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 29.4 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 125.7 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 123 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.7 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 123 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |