Моя заявка (0)
IPZA60R016CM8XKSA1, MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8032033149
Артикул
IPZA60R016CM8XKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
4.4 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
9 ns
Цена по запросу
(от 2 450 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы CoolMOS™ 8 серии SJ От Infineon Technologies МОП-транзисторы CoolMOS™ 8 серии SJ представляют собой высоковольтные МОП-транзисторы с суперпереxодом. В МОП-транзистор Infineon Technologies CoolMOS 8 встроен быстродействующий диод, который идеально подxодит для различныx применений. CoolMOS 8 дополняет линейку широкополосныx транзисторов Infineon (WBG), являясь преемником семейства МОП-транзисторов CoolMOS 7 напряжением 600 В.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:4.4 ns
Packaging:Tube
Rise Time:9 ns
Вес, г1
Technology:SiC
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Package/Case:TO-247-4
Product Type:SiC MOSFETS
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Part # Aliases:IPZA60R016CM8 SP005591312
Product Category:SiC MOSFETs
Qg - Gate Charge:171 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:240
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:521 W
Typical Turn-On Delay Time:29.4 ns
Typical Turn-Off Delay Time:125.7 ns
Id - Continuous Drain Current:123 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4.7 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)16 mOhms

Техническая документация