IPZ65R045C7XKSA1, CoolMOS C7 Type N-Channel MOSFET, 46 A, 700 V Enhancement, 4-Pin TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8023344191
- Артикул
- IPZ65R045C7XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 21.1mm
- Series
- CoolMOS C7
- FET Type
- N-Channel
- Pin Count
- 4
Цена по запросу
(от 1 840 ₽)
Минимальный заказ: 30 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon предлагает большой и всесторонний ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает семейства CoolMOS, OptiMOS и StrongIRFET.
Технические параметры
| Width | 21.1mm |
| Series | CoolMOS C7 |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 4 |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247-4 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1.25mA |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 0.9V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 24.9A, 10V |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Power Dissipation (Max) | 227W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TO247 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 227 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 93 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 93 nC @ 10 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 700 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Maximum Drain Source Resistance | 45 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 46 A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4340 pF @ 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 46A(Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 700 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 46 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |