IPZ60R040C7XKSA1, CoolMOS C7 Type N-Channel MOSFET, 50 A, 600 V Enhancement, 4-Pin TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014556196
- Артикул
- IPZ60R040C7XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- PG-TO247-4
- Series
- CoolMOS™ C7
- Mounting
- THT
- Pin Count
- 4
Цена по запросу
(от 1 690 ₽)
Минимальный заказ: 30 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Серия MOSFET Infineon 600V CoolMOS™ C7 superjunction (SJ) обеспечивает снижение потерь при отключении на 50% по сравнению с CoolMOS™ CP, обеспечивая превосxодный уровень производительности в PFC, TTF и другиx топологияx с жесткой коммутацией.
Технические параметры
| Case | PG-TO247-4 |
| Series | CoolMOS™ C7 |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 4 |
| Technology | CoolMOS™ C7 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Package Type | TO-247-4 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 50A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 227W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 40mΩ |
| Drain-source voltage | 600V |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 40 mO |
| Maximum Continuous Drain Current | 50 A |
| Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |