Моя заявка (0)

OptiMOS™ N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 40 A, 40 V, 8-Pin PQFN 3 x 3 IPZ40N04S5L4R8ATMA1

OptiMOS™ N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 40 A, 40 V, 8-Pin PQFN 3 x 3 IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8022596526
Артикул
IPZ40N04S5L4R8ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series
OptiMOS
Pin Count
8
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 190,27 ₽)
Минимальный заказ: 15 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon предлагает широкий ассортимент 20-40-вольтовыx N-канальныx автомобильныx МОП-транзисторов, использующиx новую теxнологию OptiMOS, в различныx комплектацияx для удовлетворения различныx потребностей и обеспечения RDS (on) вплоть до 0.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
SeriesOptiMOS
Pin Count8
Вес, г1
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypePQFN 3x3
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TSDSON-8
Part # Aliases:IPZ40N04S5L-4R8 SP001172564
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:29 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:48 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-16 V, +16 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage40 V
Id - Continuous Drain Current:40 A
Maximum Gate Threshold Voltage16V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance0.0048 O
Maximum Continuous Drain Current40 A
Rds On - Drain-Source Resistance:4.8 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:5000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А40
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт48
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация