IPZ40N04S5L2R8ATMA1, 40V 40A 2.8mOhm@20A,10V 71W N Channel TSDSON-8 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070062312
- Артикул
- IPZ40N04S5L2R8ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.3
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 122,87 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon оснащен МОП-транзистором OptiMOS power MOSFET для автомобильныx приложений, логическим уровнем в режиме N-канального усиления и 100%-ным лавинным тестированием.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.3 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | SuperSO8 5x6 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TSDSON-8 |
| Part # Aliases: | IPZ40N04S5L-2R8 SP001152004 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 52 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 71 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +16 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 14 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.8 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |