Моя заявка (0)

IPZ40N04S58R4ATMA1, 40V 40A 34W 8.4mOhm@20A,10V N Channel TSDSON-8-32 MOSFETs

IPZ40N04S58R4ATMA1, 40V 40A 34W 8.4mOhm@20A,10V N Channel TSDSON-8-32 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025237202
Артикул
IPZ40N04S58R4ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Pin Count
8
Fall Time:
2 ns
Rise Time:
2 ns
Цена по запросу
(от 88,67 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 20 В до 40 В Автомобильные N-канальные МОП-транзисторы Infineon Technologies напряжением от 20 до 40 В соответствуют стандарту AEC-Q101 и предназначены для применения в автомобилестроении. Они доступны в широком ассортименте комплектаций, включая D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) и SSO8 (TDSON-8). Эти МОП-транзисторы предназначены для широкого спектра применений, включая управление электродвигателями EPS, 3-фазными двигателями и двигателями с Н-образным мостом, управление вентиляторами ОВКВ и электрическими насосами в сочетании с ШИМ-управлением.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Pin Count8
Fall Time:2 ns
Rise Time:2 ns
Вес, г0.07
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypePQFN 3x3
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TSDSON-8
Part # Aliases:IPZ40N04S5-8R4 SP001153438
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:13.7 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:34 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:3 ns
Maximum Drain Source Voltage40 V
Typical Turn-Off Delay Time:3 ns
Id - Continuous Drain Current:40 A
Maximum Gate Threshold Voltage3.4V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance8.4 mO
Maximum Continuous Drain Current40 A
Rds On - Drain-Source Resistance:7 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:5000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт34
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)8.4мОм

Техническая документация