Моя заявка (0)

N-Channel MOSFET, 40 A, 40 V, 8-Pin PQFN 3 x 3 IPZ40N04S58R4ATMA1

N-Channel MOSFET, 40 A, 40 V, 8-Pin PQFN 3 x 3 IPZ40N04S58R4ATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8022596520
Артикул
IPZ40N04S58R4ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Pin Count
8
Fall Time:
2 ns
Rise Time:
2 ns
Цена по запросу
(от 76 ₽)
Минимальный заказ: 5000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon 40 В, N-Ch, 8,4 Мом max, автомобильный МОП-транзистор, S3O8, OptiMOS™-5. OptiMOS™ - мощный МОП-транзистор для применения в автомобилестроении

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Pin Count8
Fall Time:2 ns
Rise Time:2 ns
Вес, г1
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypePQFN 3x3
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TSDSON-8
Part # Aliases:IPZ40N04S5-8R4 SP001153438
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:13.7 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:34 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:3 ns
Maximum Drain Source Voltage40 V
Typical Turn-Off Delay Time:3 ns
Id - Continuous Drain Current:40 A
Maximum Gate Threshold Voltage3.4V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance8.4 mO
Maximum Continuous Drain Current40 A
Rds On - Drain-Source Resistance:7 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:5000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А40
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт34
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация