IPZ40N04S53R1ATMA1,Power MOSFET, N Channel, 40 V, 40 A, 0.0025 ohm, TSDSON, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000081991
- Артикул
- IPZ40N04S53R1ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- PPAP
- Unknown
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- IPZ
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 233 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 20 В до 40 В Автомобильные N-канальные МОП-транзисторы Infineon Technologies напряжением от 20 до 40 В соответствуют стандарту AEC-Q101 и предназначены для применения в автомобилестроении. Они доступны в широком ассортименте комплектаций, включая D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) и SSO8 (TDSON-8). Эти МОП-транзисторы предназначены для широкого спектра применений, включая управление электродвигателями EPS, 3-фазными двигателями и двигателями с Н-образным мостом, управление вентиляторами ОВКВ и электрическими насосами в сочетании с ШИМ-управлением.
Технические параметры
| PPAP | Unknown |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | IPZ |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | Yes |
| Lead Shape | No Lead |
| Вес, г | 0.013 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PQFN 3x3 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TSDSON-8 |
| Part # Aliases: | IPZ40N04S5-3R1 SP001152006 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TSDSON EP |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 41 nC |
| Process Technology | OptiMOS 5 |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Standard Package Name | SON |
| Typical Fall Time (ns) | 7 |
| Typical Rise Time (ns) | 3 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 71 W |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.4V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 71000 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 31 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 31@10V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0031 Ω |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 6 |
| Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 40 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 11 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.1 mOhms |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3.4 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 40 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1740@25V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 3.1@10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.8 V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0025 Ом |