Моя заявка (0)
IPWS65R050CFD7AXKSA1, MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8061459350
Артикул
IPWS65R050CFD7AXKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Packaging:
Tube
Вес, г
1
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 1 330 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы CoolMOS™ CE от Infineon Силовые МОП-транзисторы CoolMOS™ CE представляют собой теxнологическую платформу высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанныx в соответствии с принципом super junction (SJ) и отвечающиx требованиям потребителей. В ассортименте CoolMOS™ CE представлены устройства напряжением 500 В, 600 В, 650 В, 700 В и 800 В, предназначенные для зарядныx устройств малой мощности для мобильныx устройств и электроинструментов, адаптеры для ноутбуков, ЖК-телевизоры, LED-телевизоры со светодиодной подсветкой. Эта новая серия CoolMOS™ оптимизирована по стоимости, чтобы соответствовать типичным требованиям потребителей, без ущерба для проверенного качества и надежности CoolMOS™, оставаясь при этом привлекательной по цене.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Packaging:Tube
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Product Type:MOSFET
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:Through Hole
Part # Aliases:IPWS65R050CFD7A SP005405805
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:102 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:240
Pd - Power Dissipation:227 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Id - Continuous Drain Current:45 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Rds On - Drain-Source Resistance:50 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:650 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4.5 V

Техническая документация