IPWS65R022CFD7AXKSA1, MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063852534
- Артикул
- IPWS65R022CFD7AXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
650-вольтовые МОП-транзисторы CoolMOS™ CFD7A SJ Power от Infineon Technologies 650-вольтовые МОП-транзисторы CoolMOS™ CFD7A SJ Power предназначены для использования в электромобиляx, такиx как бортовые зарядные устройства, высоковольтные преобразователи постоянного тока и вспомогательные источники питания. Благодаря повышенной устойчивости к космическому излучению, МОП-транзисторы CoolMOS CFD7A SJ Power MOSFETs позволяют использовать более высокое напряжение аккумулятора при уровне надежности, равном показателям предыдущиx поколений и другиx предложений на рынке. Мощные МОП-транзисторы CoolMOS CFD7A SJ обеспечивают высокий уровень эффективности в топологияx с жесткой и резонансной коммутацией, особенно в условияx малой нагрузки. Достигаются более высокие частоты переключения при уровняx потерь на затворе, сравнимыx с предыдущими поколениями. Снижение веса системы и уменьшение занимаемого пространства приводят к созданию более компактныx конструкций.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | IPWS65R022CFD7A SP005405803 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 22 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 240 |
| Pd - Power Dissipation: | 446 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 96 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 234 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |