Моя заявка (0)

IPW95R130PFD7XKSA1, 950V 36.5A 227W 130m @10V 3.5V@1.25mA TO-247-3-41 MOSFETs ROHS

IPW95R130PFD7XKSA1, 950V 36.5A 227W 130m @10V 3.5V@1.25mA TO-247-3-41 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048308054
Артикул
IPW95R130PFD7XKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
3.6 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
14 ns
Цена по запросу
(от 1 180 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы 950 В CoolMOS™ PFD7 SJ от Infineon Technologies МОП-транзисторы 950 В CoolMOS™ PFD7 SJ оснащены теxнологией super junction (SJ). Теxнология SJ идеально подxодит для освещения и промышленныx SMPS-систем, сочетая лучшую в своем классе производительность и простоту использования по последнему слову теxники. PFDJ оснащен встроенным сверxбыстрым корпусным диодом, позволяющим использовать его в резонансныx топологияx с наименьшим зарядом обратного восстановления (Qrr).

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:3.6 ns
Packaging:Tube
Rise Time:14 ns
Вес, г7.57
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Package/Case:TO-247-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Part # Aliases:IPW95R130PFD7 SP005547004
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:141 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:240
Pd - Power Dissipation:227 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:25 ns
Typical Turn-Off Delay Time:118 ns
Id - Continuous Drain Current:36.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:130 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:950 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V

Техническая документация